Дисплеи/стекла/корпуса/батареи для телефонов, планшетов. Про. mqib.clem.downloadcold.win

1K (128 x 8 or 64 x 16). 2K (256 x 8 or 128 x 16). 8K (1K x 8 or 512 x 16). 8-SOP 8-SOPJ 8-SSOP 8-TDFN 8-TSSOP 8-TSSOP-B 8-UDFN 8-UFDFPN 8-VDFN. температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP. Производитель: ONS Корпус: 8-VDFN (3x4) Функциональное назначение: Battery Monitor Химический состав батареи: Li-Ion Напряжение питания: 2.5 V. Микросхемы LC709201F и LC709202F выпускаются в корпусе VCT-16, LC709203F в корпусах VDFN-8 и WLCSP-9. Типовое применение.

ПРОГРАММА ПОСТАВОК АКТИВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ

A7 vdfn-8 2x2, RT9011-gspqv, напряжения Richtek, Стабилизатор напряжения. Примеры расшифровки кодовой маркировки на корпусе микросхем. Организация: Разрядов, бит, 8. Корпус, SOIC-8 VDFN-8 SOIC (EIAJ) 8. Микросхема снята с производства, рекомендованная замена. Разбираем телефон Vodafone 360 Samsung H1 (GT-i8320) для смены матрицы. Инструмент для разбора корпусов аналог SRT-6 или медиатор. Приподнимите микросхему вверх, и шлейф, обведенный белыми кружками. как разобрать телефон Vodafone 360 Samsung H1 (GT-i8320) (8). Дисплеи LCD/ Touch Сенсорные экраны (Тачскрины)/ Корпуса/ Задние. ЖК Дисплей Original для Huawei Honor 8 В сборе с сенсорным экраном. Сенсорный экран Original (тачскрин) Alcatel V975/Vodafone Smart 3/ МТС. Сенсорный экран Original (тачскрин) Ipad Mini 3 С микросхемой. 1K (128 x 8 or 64 x 16). 2K (256 x 8 or 128 x 16). 8K (1K x 8 or 512 x 16). 8-SOP 8-SOPJ 8-SSOP 8-TDFN 8-TSSOP 8-TSSOP-B 8-UDFN 8-UFDFPN 8-VDFN. температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP. Atmel предлагает широкий набор микросхем флеш-памяти с. Корпус. AT29BV010A. 1M. 128K×8. 120, 150. 2, 7–3, 6. 32-вывод. PLCC, TSOP. AT29BV020. Напряжение питания, Корпус, Формат памяти, Интерфейс подключения. 8-TSSOP-B; 8-UDFN-EP (2x3); 8-UFDFPN; 8-UFDFPN (2x3); 8-VDFN (6x5). Микросхемы памяти Alliance 8 из 429. Спецпредложение. Корпус: dip-32(0.600, 15.24мм). Добавить к. Корпус: soic-32(0.445, 11.30мм). Добавить к. Микросхемы памяти 201. Спецпредложение. 23K256-I/SN, Микросхема памяти, SRAM, SERIAL, 256KБ, 2.7В [SOIC-8]. Корпус: soic-8(0.154, 3.90мм). Корпус, Напряжение питания, Объём памяти, Рабочая температура. EON EN25Q128-104WIP, Микросхема памяти FLASH, 1 000, 0, 00, VDFN-8, 2.7 ~ 3.6. Минск тел.8(017)2005646 www.fotorele.net ТИПЫ КОРПУСОВ МИКРОСХЕМ minsk17@tut.by радиодетали электронные компоненты со склада и под. Интегральные микросхемы · Память (EEPROM, Flash, RAM). 8-SOPJ 8-SSOP 8-TDFN 8-TSSOP 8-TSSOP-B 8-UDFN 8-UFDFPN 8-VDFN. Напряжение питания: 2.7 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC. Производитель: ONS Корпус: 8-VDFN (3x4) Функциональное назначение: Battery Monitor Химический состав батареи: Li-Ion Напряжение питания: 2.5 V. Энергонезависимая память - [8-VDFN (6x8)]: Тип: FLASH: Интерфейс. FLASH память с SPI интерфейсом, объёмом 16 Мбит , в корпусе SOIC-8-3.9. Микросхемы памяти Winbond 9 из 195. Спецпредложение. Сортировка. Корпус: wdfn-8(6x8). Добавить к сравнению. Со склада. 5 BYN − +. от 3 шт. Микросхемы LC709201F и LC709202F выпускаются в корпусе VCT-16, LC709203F в корпусах VDFN-8 и WLCSP-9. Типовое применение. +85 гр.c. Корпус: soic-8(0.154, 3.90мм). Добавить к. M24C04-WMN6TP, Микросхема памяти EEPROM 4KBIT 400KHZ [SO-8]. Корпус: dip-8(0.300, 7.62мм). Интегральные микросхемы · Память (EEPROM, Flash, RAM). Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-VDFN. Активные компоненты, преобразователи интерфейсов, микросхемы памяти, стабилизаторы напряжения линейные, микросхемы цифровые, логика. В корпусе такой микросхемы находятся четыре кристалла плотностью. Три модели iPhone 4S появились на сайте Vodafone Germany. Интерфейс подключения, SPI Serial. Напряжение питания, 2.7 V ~ 3.6 V. Рабочая температура, -40°C ~ 85°C. Корпус (размер), 8-VDFN Exposed Pad. FLASH память с SPI интерфейсом , объёмом 8 Мбит , в корпусе VDFN-8. Напряжение питания: 2.7. 3.6 В. Рабочая температура: -40. 85 °C.

Корпус микросхемы 8 vdfn